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    半導體晶圓質量檢測系統的主要技術指標如下

    更新時間:2022-01-17      點擊次數:584
      晶圓是一種常用的半導體材料,按其直徑分為4英寸、5英寸、6英寸和8英寸規格。由于電子產品的精度要求,非常有必要對單個元器件進行100%可靠檢測,及時有效地消除不良品,保證最終產品的質量。由于工藝水平不同,晶圓生產階段可能存在三種缺陷:冗余、晶體缺陷和機械損傷。因此,高效、準確的測試設備是提供高可靠性晶圓材料的保障。與傳統的人工檢測相比,半導體晶圓質量檢測系統視覺檢測具有精度高、效率高、連續性和非接觸式避免污染等優點。半導體晶圓質量檢測系統測試系統的主要技術指標如下:

     

    半導體晶圓質量檢測系統
     

     

      1、測試精度:可檢測1um以下的缺陷。
      2、光源:人眼容易感知的綠光和黃光的復合光。
      3、檢測系統配備工業相機,可拍攝缺陷。
      4、靈活的樣式,手持和桌面放置免提。
      5、可調光照射范圍。
      半導體晶圓質量檢測系統通過快速光學掃描模塊和信號處理算法實現晶圓質量檢測系統的實時共焦顯微圖像。可為半導體晶圓、FPD產品、MEMS設備、玻璃基板、材料表面等提供各種解決方案。系統還內置連接缺陷檢測系統,可快速提供數據并檢測錯誤。此外,該系統配備多視圖功能,以增強系統執行其他亮視圖應用的能力,包括檢測晶體管層中的缺陷,如STI、柵極和鎢絲。多視圖功能選件可以擴展系統的檢測和放大功能,從而提高檢測平面缺陷的靈敏度,增加產量,降低成本。
     
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